MOSFET Infineon, canale Tipo P -30 V, 150 mΩ Miglioramento, -3.6 A, 8 Pin, SOIC, Superficie IRF7606TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
262-6742
Codice costruttore:
IRF7606TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

-3.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-30V

Tipo di package

SOIC

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

150mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.8W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

-1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon ha una bassa carica gate-drain per ridurre le perdite di commutazione. È adatto per l'uso con convertitori c.c.-c.c. ad alta frequenza.

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