MOSFET Infineon, canale N 20 V, 3.6 mΩ Miglioramento, 150 A, 2 Pin, DirectFET, Superficie IRF6620TRPBF
- Codice RS:
- 222-4737
- Codice costruttore:
- IRF6620TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 222-4737
- Codice costruttore:
- IRF6620TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 150A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | DirectFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 2 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.6mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 89W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 28nC | |
| Lunghezza | 6.35mm | |
| Altezza | 680μm | |
| Larghezza | 5.05mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 150A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package DirectFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 2 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.6mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 89W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 28nC | ||
Lunghezza 6.35mm | ||
Altezza 680μm | ||
Larghezza 5.05mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il design Infineon della tecnologia al silicio MOSFET di potenza HEXFET® con l'Advanced Direct FETTM per ottenere la resistenza in stato attivo più bassa in un contenitore con l'ingombro di UN PROFILO SO-8 e solo 0,7 mm. Il contenitore DirectFET è compatibile con le geometrie di layout esistenti utilizzate in applicazioni di potenza, apparecchiature di assemblaggio di circuiti stampati e tecniche di saldatura a fase vapore, a infrarossi o a convezione, quando si applica la nota applicativa AN-1035 relativa ai metodi e ai processi di produzione.
Testato al 100% Rg per basse perdite di conduzione e commutazione
Contenitore a induttanza ultra bassa ideale per convertitori c.c.-c.c. con core CPU
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