MOSFET Infineon, canale Tipo N 20 V, 3.6 mΩ Miglioramento, 150 A, 2 Pin, DirectFET, Superficie IRF6620TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4737
Codice costruttore:
IRF6620TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

150A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

HEXFET

Tipo di package

DirectFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

2

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

89W

Lunghezza

6.35mm

Altezza

0.68mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.05 mm

Standard automobilistico

No

Il design Infineon della tecnologia al silicio MOSFET di potenza HEXFET® con l'Advanced Direct FETTM per ottenere la resistenza in stato attivo più bassa in un contenitore con l'ingombro di UN PROFILO SO-8 e solo 0,7 mm. Il contenitore DirectFET è compatibile con le geometrie di layout esistenti utilizzate in applicazioni di potenza, apparecchiature di assemblaggio di circuiti stampati e tecniche di saldatura a fase vapore, a infrarossi o a convezione, quando si applica la nota applicativa AN-1035 relativa ai metodi e ai processi di produzione.

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