MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 56 mΩ Miglioramento, 18 A, 7 Pin, DirectFET, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 4800 unità*

5438,40 €

(IVA esclusa)

6633,60 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 4800 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
4800 +1,133 €5.438,40 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
214-8949
Codice costruttore:
AUIRF7675M2TR
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

DirectFET

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

56mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21nC

Dissipazione di potenza massima Pd

45W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.35mm

Altezza

0.74mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.05 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

La Infineon combina la più recente tecnologia al silicio MOSFET di potenza HEXFET per uso automobilistico con la piattaforma Advanced Packaging per produrre un componente migliore della categoria per applicazioni di amplificatori audio di classe D per uso automobilistico. Il contenitore è compatibile con le geometrie di layout esistenti utilizzate in applicazioni di potenza, apparecchiature di assemblaggio su circuito stampato e tecniche di saldatura a fase vapore, a infrarossi o a convezione, ecc. il contenitore consente il raffreddamento a due lati per ottimizzare il trasferimento termico nei sistemi di alimentazione per uso automobilistico. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo MOSFET un componente altamente desiderabile in sistemi di amplificazione audio di classe D per uso automobilistico.

Avanzata tecnologia di processo

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Link consigliati