MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 36 mΩ Miglioramento, 21 A, 6 Pin, DirectFET, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 4800 unità*

3043,20 €

(IVA esclusa)

3710,40 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 06 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
4800 +0,634 €3.043,20 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
215-2447
Codice costruttore:
AUIRF7640S2TR
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

21A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

HEXFET

Tipo di package

DirectFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

36mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

30W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.3nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La serie MOSFET di potenza DirectFET® per uso automobilistico Infineon è dotata di tensione di sorgente di drain massima 60V con corrente di drain continua massima di 20A in un contenitore DirectFET Small CAN. Il modello AUIRF7640S2TR/TR1 combina la più recente tecnologia in silicio MOSFET di potenza HEXFET® per uso automobilistico con l'Advanced DirectFET® per produrre una parte migliore della categoria per applicazioni di amplificatori audio di classe D per uso automobilistico. Il contenitore DirectFET® è compatibile con le geometrie di layout esistenti utilizzate nelle applicazioni di potenza, nelle apparecchiature di assemblaggio di circuiti stampati e nelle tecniche di saldatura a fase vapore, a infrarossi o a convezione, quando si applica la nota applicativa AN-1035 relativa ai metodi e ai processi di produzione. Il pacchetto DirectFET® consente il raffreddamento su due lati per ottimizzare il trasferimento termico nei sistemi di alimentazione per uso automobilistico.

Avanzata tecnologia di processo

Ottimizzato per amplificatore audio classe D e commutazione ad alta velocità Applicazioni

Bassa resistenza RDS(ON) per una maggiore efficienza

Capacità a effetto valanga ripetitivo per robustezza e affidabilità

Senza piombo, RoHS e senza alogeni

Link consigliati