MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 36 mΩ Miglioramento, 21 A, 6 Pin, DirectFET, Superficie
- Codice RS:
- 215-2447
- Codice costruttore:
- AUIRF7640S2TR
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 4800 unità*
3043,20 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 4800 + | 0,634 € | 3.043,20 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-2447
- Codice costruttore:
- AUIRF7640S2TR
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 21A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | DirectFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 36mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 30W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 7.3nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 21A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package DirectFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 36mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 30W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 7.3nC | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie MOSFET di potenza DirectFET® per uso automobilistico Infineon è dotata di tensione di sorgente di drain massima 60V con corrente di drain continua massima di 20A in un contenitore DirectFET Small CAN. Il modello AUIRF7640S2TR/TR1 combina la più recente tecnologia in silicio MOSFET di potenza HEXFET® per uso automobilistico con l'Advanced DirectFET® per produrre una parte migliore della categoria per applicazioni di amplificatori audio di classe D per uso automobilistico. Il contenitore DirectFET® è compatibile con le geometrie di layout esistenti utilizzate nelle applicazioni di potenza, nelle apparecchiature di assemblaggio di circuiti stampati e nelle tecniche di saldatura a fase vapore, a infrarossi o a convezione, quando si applica la nota applicativa AN-1035 relativa ai metodi e ai processi di produzione. Il pacchetto DirectFET® consente il raffreddamento su due lati per ottimizzare il trasferimento termico nei sistemi di alimentazione per uso automobilistico.
Avanzata tecnologia di processo
Ottimizzato per amplificatore audio classe D e commutazione ad alta velocità Applicazioni
Bassa resistenza RDS(ON) per una maggiore efficienza
Capacità a effetto valanga ripetitivo per robustezza e affidabilità
Senza piombo, RoHS e senza alogeni
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