MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 7 mΩ Miglioramento, 68 A, 9 Pin, DirectFET, Superficie

Il MOSFET di potenza DirectFET® per uso automobilistico Infineon è dotato di una tensione di sorgente di drain massima di 60V con corrente di drain continua massima di 68A in un contenitore DirectFET M4. Il modello AUIRF7648M2 combina la più recente tecnologia in silicio MOSFET di potenza HEXFET® per uso automobilistico con l'Advanced DirectFET® per ottenere una bassa carica di gate, nonché la più bassa resistenza in stato attivo in un contenitore con l'ingombro di UN profilo SO-8 e solo 0,7 mm. Il contenitore DirectFET® è compatibile con le geometrie di layout esistenti utilizzate nelle applicazioni di potenza, nelle apparecchiature di assemblaggio di circuiti stampati e nelle tecniche di saldatura a fase vapore, a infrarossi o a convezione, quando si applica la nota applicativa AN-1035 relativa ai metodi e ai processi di produzione. Il pacchetto DirectFET® consente il raffreddamento su due lati per ottimizzare il trasferimento termico nei sistemi di alimentazione per uso automobilistico.

Avanzata tecnologia di processo