MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 1.5 mΩ Miglioramento, 375 A, 15 Pin, DirectFET, Superficie

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Codice RS:
165-8086
Codice costruttore:
IRF7749L1TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

375A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

DirectFET, HEXFET

Tipo di package

DirectFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

15

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

200nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

9.15mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.49mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MX

MOSFET di potenza DirectFET®, Infineon


Il contenitore di potenza DirectFET® è una tecnologia di packaging dei MOSFET di potenza a montaggio superficiale. Il MOSFET DirectFET® è una soluzione che consente di ridurre le perdite energetiche offrendo al contempo un minore ingombro della struttura in applicazioni di commutazione avanzate.

La più bassa resistenza del settore nei rispettivi ingombri

Resistenza del contenitore estremamente bassa per ridurre al minimo le perdite di conduzione

Il raffreddamento su due lati estremamente efficiente migliora notevolmente la densità di potenza, i costi e l'affidabilità

Profilo basso di soli 0,7 mm

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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