MOSFET Infineon, canale N, 1,5 mΩ, 375 A, DirectFET isometrico, Montaggio superficiale

Il contenitore di potenza DirectFET® è una tecnologia di packaging dei MOSFET di potenza a montaggio superficiale. Il MOSFET DirectFET® è una soluzione che consente di ridurre le perdite energetiche offrendo al contempo un minore ingombro della struttura in applicazioni di commutazione avanzate.

La più bassa resistenza del settore nei rispettivi ingombri
Resistenza del contenitore estremamente bassa per ridurre al minimo le perdite di conduzione
Il raffreddamento su due lati estremamente efficiente migliora notevolmente la densità di potenza, i costi e l'affidabilità
Profilo basso di soli 0,7 mm

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.