MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 1.5 mΩ, 345 A, 8 Pin, DirectFET, Superficie
- Codice RS:
- 223-8454
- Codice costruttore:
- AUIRF7749L2TR
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*
11.980,00 €
(IVA esclusa)
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 4000 + | 2,995 € | 11.980,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 223-8454
- Codice costruttore:
- AUIRF7749L2TR
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 345A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | DirectFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.5mΩ | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 60 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 341W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 183nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 345A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package DirectFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.5mΩ | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 60 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 341W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 183nC | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo Infineon è progettato per le applicazioni in cui l'efficienza e la densità di potenza sono di valore. L'Advanced DirectFET Packaging Platform, insieme alla più recente tecnologia al silicio, consente a questo MOSFET di offrire un notevole risparmio a livello di sistema e un miglioramento delle prestazioni, in particolare nell'azionamento per motori, c.c. - c.c. e altre applicazioni con carico pesante.
Advanced Process Technology
Ingombro eccezionalmente ridotto e profilo basso
Alta densità di potenza
Parametri parassiti bassi
Raffreddamento su due lati
Temperatura d'esercizio 175 °C.
Senza piombo
Conformità RoHS
Senza alogeni
Adatto per impieghi automobilistici
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