MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 1.5 mΩ, 345 A, 8 Pin, DirectFET, Superficie AUIRF7749L2TR

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
223-8455
Codice costruttore:
AUIRF7749L2TR
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

345A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

DirectFET

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.5mΩ

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

60 V

Dissipazione di potenza massima Pd

341W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

183nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo Infineon è progettato per le applicazioni in cui l'efficienza e la densità di potenza sono di valore. L'Advanced DirectFET Packaging Platform, insieme alla più recente tecnologia al silicio, consente a questo MOSFET di offrire un notevole risparmio a livello di sistema e un miglioramento delle prestazioni, in particolare nell'azionamento per motori, c.c. - c.c. e altre applicazioni con carico pesante.

Advanced Process Technology

Ingombro eccezionalmente ridotto e profilo basso

Alta densità di potenza

Parametri parassiti bassi

Raffreddamento su due lati

Temperatura d'esercizio 175 °C.

Senza piombo

Conformità RoHS

Senza alogeni

Adatto per impieghi automobilistici

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