MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 1.5 mΩ Miglioramento, 375 A, 15 Pin, DirectFET, Superficie IRF7749L1TRPBF
- Codice RS:
- 907-5205
- Codice costruttore:
- IRF7749L1TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | 2,955 € | 11,82 € |
| 20 - 36 | 2,808 € | 11,23 € |
| 40 - 96 | 2,748 € | 10,99 € |
| 100 - 196 | 2,57 € | 10,28 € |
| 200 + | 2,393 € | 9,57 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 907-5205
- Codice costruttore:
- IRF7749L1TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 375A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | DirectFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 15 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 125W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 200nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 9.15mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 0.49mm | |
| Larghezza | 7.1 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 375A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package DirectFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 15 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 125W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 200nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 9.15mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 0.49mm | ||
Larghezza 7.1 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza DirectFET®, Infineon
Il contenitore di potenza DirectFET® è una tecnologia di packaging dei MOSFET di potenza a montaggio superficiale. Il MOSFET DirectFET® è una soluzione che consente di ridurre le perdite energetiche offrendo al contempo un minore ingombro della struttura in applicazioni di commutazione avanzate.
La più bassa resistenza del settore nei rispettivi ingombri
Resistenza del contenitore estremamente bassa per ridurre al minimo le perdite di conduzione
Il raffreddamento su due lati estremamente efficiente migliora notevolmente la densità di potenza, i costi e l'affidabilità
Profilo basso di soli 0,7 mm
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
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