MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 1.5 mΩ Miglioramento, 375 A, 15 Pin, DirectFET, Superficie IRF7749L1TRPBF

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 4 unità*

11,82 €

(IVA esclusa)

14,42 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Per ordini inferiori a 60,00 € (IVA esclusa) il costo della spedizione è 9,50 €.
In magazzino
  • 2832 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
4 - 162,955 €11,82 €
20 - 362,808 €11,23 €
40 - 962,748 €10,99 €
100 - 1962,57 €10,28 €
200 +2,393 €9,57 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
907-5205
Codice costruttore:
IRF7749L1TRPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

375A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

DirectFET

Serie

DirectFET, HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

15

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

200nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

7.1 mm

Lunghezza

9.15mm

Altezza

0.49mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza DirectFET®, Infineon


Il contenitore di potenza DirectFET® è una tecnologia di packaging dei MOSFET di potenza a montaggio superficiale. Il MOSFET DirectFET® è una soluzione che consente di ridurre le perdite energetiche offrendo al contempo un minore ingombro della struttura in applicazioni di commutazione avanzate.

La più bassa resistenza del settore nei rispettivi ingombri

Resistenza del contenitore estremamente bassa per ridurre al minimo le perdite di conduzione

Il raffreddamento su due lati estremamente efficiente migliora notevolmente la densità di potenza, i costi e l'affidabilità

Profilo basso di soli 0,7 mm

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Link consigliati