MOSFET Infineon, canale Tipo N 20 V, 6.4 mΩ Miglioramento, 81 A, 2 Pin, DirectFET, Superficie

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Codice RS:
222-4738
Codice costruttore:
IRF6636TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

81A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

HEXFET

Tipo di package

DirectFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

2

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

42W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Larghezza

3.95mm

Lunghezza

4.85mm

Altezza

0.68mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il design Infineon della tecnologia al silicio MOSFET di potenza HEXFET® con l'Advanced Direct FETTM per ottenere la resistenza in stato attivo più bassa in un contenitore con l'ingombro di UN PROFILO SO-8 e solo 0,7 mm. Il contenitore DirectFET è compatibile con le geometrie di layout esistenti utilizzate in applicazioni di potenza, apparecchiature di assemblaggio di circuiti stampati e tecniche di saldatura a fase vapore, a infrarossi o a convezione, quando si applica la nota applicativa AN-1035 relativa ai metodi e ai processi di produzione.

Testato al 100% Rg per basse perdite di conduzione e commutazione

Contenitore a induttanza ultra bassa ideale per convertitori c.c.-c.c. con core CPU

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