MOSFET Infineon, canale N, 0,0064 Ω, 81 A, DirectFET isometrico, Montaggio superficiale

Il design Infineon della tecnologia al silicio MOSFET di potenza HEXFET® con l'Advanced Direct FETTM per ottenere la resistenza in stato attivo più bassa in un contenitore con l'ingombro di UN PROFILO SO-8 e solo 0,7 mm. Il contenitore DirectFET è compatibile con le geometrie di layout esistenti utilizzate in applicazioni di potenza, apparecchiature di assemblaggio di circuiti stampati e tecniche di saldatura a fase vapore, a infrarossi o a convezione, quando si applica la nota applicativa AN-1035 relativa ai metodi e ai processi di produzione.

Testato al 100% Rg per basse perdite di conduzione e commutazione
Contenitore a induttanza ultra bassa ideale per convertitori c.c.-c.c. con core CPU