MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 56 mΩ, 28 A, 2 Pin, DirectFET, Superficie

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Codice RS:
218-3101
Codice costruttore:
IRF6775MTRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

28A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

DirectFET

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

2

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

56mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

89W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

4.85mm

Larghezza

3.95 mm

Altezza

0.68mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo Infineon 150V. Questo MOSFET audio digitale è progettato appositamente per applicazioni di amplificatori audio di classe D. Questo MOSFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio. La bassa induttanza migliora le prestazioni EMI riducendo la suoneria della tensione che accompagna i transienti di corrente rapidi.

La più recente tecnologia al silicio MOSFET

Compatibile con il raffreddamento a due lati

Compatibile con le tecnologie di montaggio superficiale esistenti

Senza piombo

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