MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 35 A, 7 Pin, DirectFET, Superficie
- Codice RS:
- 260-5937
- Codice costruttore:
- IRF6643TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 4800 unità*
4176,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 4800 + | 0,87 € | 4.176,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 260-5937
- Codice costruttore:
- IRF6643TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 35A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | DirectFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 35A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package DirectFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET audio digitale Infineon è progettato specificatamente per le applicazioni di amplificatori audio di classe D. Questo MOSFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio. Inoltre, la carica del gate, il recupero inverso del diodo corpo e la resistenza interna del gate sono ottimizzati per migliorare i principali fattori di prestazione dell'amplificatore audio di Classe D come l'efficienza, THD e EMI.
Ultima tecnologia MOSFET al silicio
Compatibile con raffreddamento su due lati
Compatibile con le tecnologie di montaggio superficiale esistenti
Senza piombo
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