MOSFET Infineon, canale N 100 V, 3.50 mΩ Miglioramento, 124 A, DirectFET, Foro passante

Codice RS:: 257-9317
Codice costruttore:: IRF7769L1TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 100 V, 3.50 mΩ Miglioramento, 124 A, DirectFET, Foro passante

Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*

10.088,00 €

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Codice RS:: 257-9317
Codice costruttore:: IRF7769L1TRPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	124A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Serie	HEXFET
	Tipo di package	DirectFET
	Tipo montaggio	Foro passante
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	3.50mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Temperatura massima di funzionamento	+175°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 124A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Serie HEXFET
	Tipo di package DirectFET
	Tipo montaggio Foro passante
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.50mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Temperatura massima di funzionamento +175°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - IRF7769L1TRPBF

MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima drain-source 100 V, corrente di drenaggio continua massima 124 A - IRF7769L1TRPBF

Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N a foro passante progettato per la commutazione ad alta corrente in sistemi elettrici impegnativi. Funziona in un ampio intervallo di temperature adatto alle condizioni industriali e soddisfa le restrizioni ambientali RoHS. Il componente è fornito in un pacchetto DirectFET destinato ad applicazioni che richiedono una gestione termica efficiente e un'integrazione compatta.

Caratteristiche e vantaggi:

• L'RDS(on) di 3,50 mΩ riduce le perdite di conduzione per una maggiore efficienza
• Il VDS da 100 V consente il funzionamento in topologie a media tensione
• La corrente di drenaggio continua di 124 A supporta l'erogazione di potenza elevata
• La tensione diretta VF di 1,3 V favorisce un controllo preciso del gate-to-source
• L'intervallo di temperatura da -55 °C a +175 °C garantisce una tolleranza termica estesa

Applicazioni

• Adatto per sistemi di alimentazione e controllo dei motori
• Utilizzato con rack di distribuzione dell'alimentazione CC ad alta corrente
• Ideale per stadi di convertitori e inverter industriali
• Può essere utilizzato per la gestione della batteria e la regolazione della carica

Quale tipo di contenitore viene utilizzato per la manipolazione termica?

Utilizza un contenitore DirectFET per facilitare una bassa resistenza termica e un trasferimento di calore efficiente.

Quale metodo di montaggio richiede?

Il dispositivo è progettato per il montaggio a foro passante per fornire un robusto collegamento meccanico e termico.

Il dispositivo è adatto alle qualifiche automobilistiche?

Non è specificato come parte standard per il settore automobilistico e deve quindi essere valutato in base ai requisiti specifici del veicolo.

Quale polarità e modalità del canale sono implementate?

Il componente è un dispositivo a canale N che funziona in modalità di potenziamento, adatto per i comuni interruttori high-side o low-side.

Il componente è conforme alle direttive ambientali?

È conforme alla direttiva RoHS, che indica la restrizione di alcune sostanze pericolose.