MOSFET Infineon, canale Tipo N -30 V, 4.8 mΩ, -160 A, DirectFET, Superficie

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Codice RS:
257-9332
Codice costruttore:
IRF9383MTRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-160A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-30V

Serie

HEXFET

Tipo di package

DirectFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.8mΩ

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

67nC

Dissipazione di potenza massima Pd

113W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

La serie IRF Infineon è un potente mosfet di potenza IRFET a canale p singolo da -30 V in un contenitore FET mx diretto. La robusta famiglia di potenza IRFET Mosfet è ottimizzata per bassi RDS (on) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il portafoglio completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione batterie, inverter e convertitori c.c.-c.c.

Ottimizzato per la massima disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Corrente nominale elevata

Capacità di raffreddamento a doppio lato

Bassa altezza del contenitore di 0,7 mm

Contenitore a bassa induttanza parassitaria (da 1 a 2 nH)

Senza piombo al 100% (nessuna esenzione RoHS)

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