MOSFET Infineon, canale Tipo N, 160 A 75 V, DirectFET AUIRF7759L2TR
- Codice RS:
- 273-5218
- Codice costruttore:
- AUIRF7759L2TR
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 4000 + | 4,648 € | 18.592,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-5218
- Codice costruttore:
- AUIRF7759L2TR
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 160A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 75V | |
| Tipo di package | DirectFET | |
| Serie | HEXFET | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 160A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 75V | ||
Tipo di package DirectFET | ||
Serie HEXFET | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- MX
Il MOSFET di potenza Infineon è progettato per le applicazioni in cui l'efficienza e la densità di potenza sono essenziali. L'avanzata piattaforma di imballaggio DirectFET accoppiata con la più recente tecnologia al silicio consente di offrire notevoli risparmi sul livello di sistema e miglioramenti delle prestazioni specificatamente nell'azionamento del motore, in c.c.-c.c. ad alta frequenza e in altre applicazioni per carichi pesanti su piattaforme ICE, HEV e EV. Questo MOSFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione e un basso Qg per area di silicio. Le caratteristiche aggiuntive di questo MOSFET sono l'elevata capacità di corrente di picco ripetitiva. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo MOSFET un dispositivo estremamente efficiente, robusto e affidabile per le applicazioni automobilistiche ad alta corrente.
Conforme a RoHS
Raffreddamento su due lati
Elevata densità di potenza
Certificazione per il settore automobilistico
Parametri parassiti bassi
Senza piombo e senza alogeni
Tecnologia di processo avanzata
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