MOSFET Infineon, canale N, 160 A, DirectFET grande contenitore, Su foro

Il MOSFET di potenza Infineon è progettato per le applicazioni in cui l'efficienza e la densità di potenza sono essenziali. L'avanzata piattaforma di imballaggio DirectFET accoppiata con la più recente tecnologia al silicio consente di offrire notevoli risparmi sul livello di sistema e miglioramenti delle prestazioni specificatamente nell'azionamento del motore, in c.c.-c.c. ad alta frequenza e in altre applicazioni per carichi pesanti su piattaforme ICE, HEV e EV. Questo MOSFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione e un basso Qg per area di silicio. Le caratteristiche aggiuntive di questo MOSFET sono l'elevata capacità di corrente di picco ripetitiva. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo MOSFET un dispositivo estremamente efficiente, robusto e affidabile per le applicazioni automobilistiche ad alta corrente.

Conforme a RoHS
Raffreddamento su due lati
Elevata densità di potenza
Certificazione per il settore automobilistico
Parametri parassiti bassi
Senza piombo e senza alogeni
Tecnologia di processo avanzata