MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.2 mΩ, 217 A, DirectFET, Superficie

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Codice RS:
257-9313
Codice costruttore:
IRF7480MTRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

217A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

HEXFET

Tipo di package

DirectFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

123nC

Dissipazione di potenza massima Pd

96W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

La serie IRF Infineon è un potente mosfet di potenza IRFET a canale n singolo da 40 V in un contenitore ME FET diretto. La robusta famiglia di potenza IRFET Mosfet è ottimizzata per bassi RDS (on) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il portafoglio completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione batterie, inverter e convertitori c.c.-c.c. Le applicazioni terminali includono utensili elettrici cordless e utensili da giardinaggio, veicoli elettrici leggeri ed e-bike che richiedono un elevato livello di robustezza e efficienza energetica.

Capacità di raffreddamento a doppio lato

Bassa altezza del contenitore di 0,7 mm

Contenitore a bassa induttanza parassitaria (da 1 a 2 nH)

Senza piombo al 100% (senza esenzione ROHS)

Silicio ottimizzato per applicazioni di commutazione al di sotto di 100 kHz

Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC

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