MOSFET Infineon, canale N 60 V, 17.8 mΩ Miglioramento, 8 A, 8 Pin, SO-8, Superficie IRF7351TRPBF

Codice RS:: 273-2805
Codice costruttore:: IRF7351TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 60 V, 17.8 mΩ Miglioramento, 8 A, 8 Pin, SO-8, Superficie IRF7351TRPBF

Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*

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Codice RS:: 273-2805
Codice costruttore:: IRF7351TRPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Tipo di package	SO-8
	Serie	HEXFET
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	17.8mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	36nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	2W
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS

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	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Tipo di package SO-8
	Serie HEXFET
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 17.8mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 2W
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS

Datasheet - IRF7351TRPBF

Paese di origine:: PH

MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima drain-source 60 V, corrente di drenaggio continua massima 8 A - IRF7351TRPBF

Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N progettato per la commutazione e il controllo di potenza a montaggio superficiale in assemblaggi compatti. Funziona in un intervallo di temperatura esteso adatto ad ambienti difficili ed è fornito in un contenitore SO-8 per processi di assemblaggio automatizzati.

Caratteristiche e vantaggi:

• Rds(on) di 17,8 mΩ riduce le perdite di conduzione per la commutazione ad alta corrente
• 60 V Vds consente il funzionamento in fasi di potenza a tensione moderata
• L'ID 8A supporta una notevole erogazione di corrente continua
• Il modello 36nC Qg migliora il controllo della commutazione per la progettazione del circuito di azionamento
• 2W Pd limita lo stress termico in layout di circuito stampato limitati

Applicazioni

• Adatto per stadi di potenza SMD ad alta corrente
• Ideale per l'elettronica automobilistica in condizioni di funzionamento estreme
• Utilizzato con moduli motore-azionamento compatti
• Può essere utilizzato per gli stadi di uscita del convertitore CC-CC
• Adatto per implementazioni con interruttore di carico a montaggio superficiale

Quali limiti di tensione di gate devono essere rispettati?

Il gate non deve superare i 20 V rispetto alla sorgente per evitare danni.

In che modo il campo termico influisce sulle scelte di implementazione?

Il dispositivo funziona da -55 °C a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti a temperatura estesa.

Quale metodo di montaggio è richiesto per questo componente?

È progettato per il montaggio superficiale in un ingombro SO-8 per la saldatura automatizzata.

Quale modalità di conduzione del canale è implementata?

Il transistor funziona in modalità di potenziamento con conduzione del canale di tipo N.