MOSFET Infineon, canale N 30 V, 4.5 mΩ Miglioramento, 21 A, 8 Pin, SO-8, Superficie

Codice RS:: 257-9323
Codice costruttore:: IRF7862TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 30 V, 4.5 mΩ Miglioramento, 21 A, 8 Pin, SO-8, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*

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Codice RS:: 257-9323
Codice costruttore:: IRF7862TRPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	21A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Serie	HEXFET
	Tipo di package	SO-8
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	4.5mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	30nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	2.5W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 21A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Serie HEXFET
	Tipo di package SO-8
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.5mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 30nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - IRF7862TRPBF

MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima drain-source 30 V, corrente di drenaggio continua massima 21 A - IRF7862TRPBF

Questo MOSFET a canale N in modalità di potenziamento in un contenitore SO-8 è un transistor di potenza a montaggio superficiale progettato per la commutazione ad alta corrente in assemblaggi compatti. Funziona in un'ampia gamma di ambienti ed è conforme alla direttiva RoHS, il che lo rende adatto per le applicazioni che richiedono dispositivi di alimentazione SMD compatti e senza piombo.

Caratteristiche e vantaggi:

• L'Rds(on) di 4.5 mΩ garantisce basse perdite di conduzione sotto carico
• 30 V Vds consente la commutazione di potenza a media tensione
• La corrente di drenaggio continua di 21 A supporta circuiti ad alta corrente
• La carica gate tipica di 30 nC consente un controllo moderato della velocità di commutazione
• La dissipazione di potenza di 2,5 W gestisce il carico termico in spazi ristretti

Applicazioni

• Adatto per moduli di distribuzione dell'alimentazione CC
• Ideale per le fasi di azionamento del motore a livello di scheda
• Utilizzato con regolatori di tensione per la commutazione del carico
• Può essere utilizzato per circuiti di protezione della batteria
• Adatto per la gestione dell'alimentazione nei convertitori compatti

Quali limiti di tensione gate devono essere rispettati?

Il dispositivo non deve superare ±20 V tra il gate e la sorgente per evitare la tensione dielettrica del gate.

In che modo il pacchetto influisce sulla gestione termica?

Il contenitore per montaggio superficiale SO-8 limita il dissipatore di calore, pertanto si consiglia di utilizzare il rame per scheda e le vie termiche per dissipare la potenza consentita di 2,5 W.

A quale intervallo di temperatura ambiente può resistere?

È classificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, adatto per impieghi ad ampia temperatura.

Questo dispositivo è adatto per la qualifica automobilistica?

Non è specificato come conforme alle norme automobilistiche e non deve essere considerato di livello automobilistico.