MOSFET Infineon, canale N 30 V, 4.5 mΩ Miglioramento, 21 A, 8 Pin, SO-8, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*

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Codice RS:
257-9323
Codice costruttore:
IRF7862TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

21A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima drain-source 30 V, corrente di drenaggio continua massima 21 A - IRF7862TRPBF


Questo MOSFET a canale N in modalità di potenziamento in un contenitore SO-8 è un transistor di potenza a montaggio superficiale progettato per la commutazione ad alta corrente in assemblaggi compatti. Funziona in un'ampia gamma di ambienti ed è conforme alla direttiva RoHS, il che lo rende adatto per le applicazioni che richiedono dispositivi di alimentazione SMD compatti e senza piombo.

Caratteristiche e vantaggi:


• L'Rds(on) di 4.5 mΩ garantisce basse perdite di conduzione sotto carico
• 30 V Vds consente la commutazione di potenza a media tensione
• La corrente di drenaggio continua di 21 A supporta circuiti ad alta corrente
• La carica gate tipica di 30 nC consente un controllo moderato della velocità di commutazione
• La dissipazione di potenza di 2,5 W gestisce il carico termico in spazi ristretti

Applicazioni


• Adatto per moduli di distribuzione dell'alimentazione CC
• Ideale per le fasi di azionamento del motore a livello di scheda
• Utilizzato con regolatori di tensione per la commutazione del carico
• Può essere utilizzato per circuiti di protezione della batteria
• Adatto per la gestione dell'alimentazione nei convertitori compatti

Quali limiti di tensione gate devono essere rispettati?


Il dispositivo non deve superare ±20 V tra il gate e la sorgente per evitare la tensione dielettrica del gate.

In che modo il pacchetto influisce sulla gestione termica?


Il contenitore per montaggio superficiale SO-8 limita il dissipatore di calore, pertanto si consiglia di utilizzare il rame per scheda e le vie termiche per dissipare la potenza consentita di 2,5 W.

A quale intervallo di temperatura ambiente può resistere?


È classificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, adatto per impieghi ad ampia temperatura.

Questo dispositivo è adatto per la qualifica automobilistica?


Non è specificato come conforme alle norme automobilistiche e non deve essere considerato di livello automobilistico.

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