MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 6.9 mΩ Miglioramento, 75 A, 4 Pin, SO-8, Superficie SQJA66EP-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-5051
Codice costruttore:
SQJA66EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

75A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SO-8

Serie

SQJA66EP_RC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

64.9nC

Dissipazione di potenza massima Pd

68W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET a canale N Vishay è dotato di contenitore tipo PowerPAK SO-8L.

Valori R-C per il circuito elettrico nell'area di alimentazione/serbatoio e. sono incluse le configurazioni di cauter/filtro

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