MOSFET Vishay Siliconix, canale Tipo N 40 V, 5 mΩ Miglioramento, 75 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SQJA76EP-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
178-3916
Codice costruttore:
SQJA76EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
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Marchio

Vishay Siliconix

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

75A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

66W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

66nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

5 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.99mm

Altezza

1.07mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Esente

Paese di origine:
CN
MOSFET di potenza TrenchFET®

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