MOSFET Vishay Siliconix, canale Tipo P 80 V, 90 mΩ Miglioramento, 16 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SQJ481EP-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
178-3883
Codice costruttore:
SQJ481EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
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Marchio

Vishay Siliconix

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

16A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

90mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

33nC

Tensione diretta Vf

-1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

45W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.07mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5 mm

Lunghezza

5.99mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Esente

Paese di origine:
CN

vishay


Il MOSFET a canale N a montaggio superficiale Vishay è un nuovo prodotto di età con una tensione drain-source di 80V e una tensione gate-source massima di of20V. Ha una resistenza drain-source di 80mohms a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 45W e una corrente di drain continua di 16A. Ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 4,5 V e 10V. Viene utilizzato in applicazioni automobilistiche. Il MOSFET è stato ottimizzato per minori perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga e produttiva durata senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura Di Esercizio è compresa tra -55°C e 175°C.

MOSFET di potenza TrenchFET •

Certificazioni


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• bs en 61340-5-1:2007

• Rg testato

• UIS testato

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