MOSFET Vishay Siliconix, canale Tipo P 200 V, 760 mΩ Miglioramento, 9.4 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SQJ431AEP-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
178-3873
Codice costruttore:
SQJ431AEP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
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Marchio

Vishay Siliconix

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

9.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

760mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

55nC

Tensione diretta Vf

-1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

68W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5.99mm

Larghezza

5 mm

Altezza

1.07mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Esente

Paese di origine:
CN
MOSFET di potenza TrenchFET®

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