MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 60 V, 34 mΩ Miglioramento, 6.9 A, 8 Pin, SO-8, Superficie DMN6022SSS-13

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 25 unità*

10,10 €

(IVA esclusa)

12,325 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 1675 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
25 +0,404 €10,10 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
206-0091
Codice costruttore:
DMN6022SSS-13
Costruttore:
DiodesZetex
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

6.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

DMN6022

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

34mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.3W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.4mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

4.85mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex 60V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo pur mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è di 20 V con una dissipazione di potenza termica di 1,3 W.

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità di ingresso

Link consigliati