1 MOSFET di potenza DiodesZetex Singolo, canale Tipo P, 52 mΩ, 6.5 A 20 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 182-7019
- Codice costruttore:
- DMP2040USD-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 confezione da 50 unità*
17,80 €
(IVA esclusa)
21,70 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 0,356 € | 17,80 € |
| 250 - 450 | 0,312 € | 15,60 € |
| 500 - 950 | 0,25 € | 12,50 € |
| 1000 - 1950 | 0,208 € | 10,40 € |
| 2000 + | 0,191 € | 9,55 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 182-7019
- Codice costruttore:
- DMP2040USD-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 52mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.6W | |
| Tensione diretta Vf | -7V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 8.6nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12 V | |
| Minima temperatura operativa | 150°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Temperatura massima di funzionamento | -55°C | |
| Standard/Approvazioni | J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | |
| Larghezza | 3.9 mm | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Lunghezza | 4.95mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 52mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.6W | ||
Tensione diretta Vf -7V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8.6nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12 V | ||
Minima temperatura operativa 150°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Temperatura massima di funzionamento -55°C | ||
Standard/Approvazioni J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | ||
Larghezza 3.9 mm | ||
Altezza 1.5mm | ||
Lunghezza 4.95mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
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