- Codice RS:
- 258-0611
- Codice costruttore:
- 2ED21814S06JXUMA1
- Costruttore:
- Infineon
999999999 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)
Prezzo per 1pz in confezione da 2
2,345 €
(IVA esclusa)
2,861 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per confezione* |
---|---|---|
2 - 18 | 2,345 € | 4,69 € |
20 - 48 | 1,99 € | 3,98 € |
50 - 98 | 1,85 € | 3,70 € |
100 - 198 | 1,735 € | 3,47 € |
200 + | 1,595 € | 3,19 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-0611
- Codice costruttore:
- 2ED21814S06JXUMA1
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Il driver gate lato alto e basso da 650 V Infineon con corrente elevata e velocità elevata per azionare MOSFET e IGBT, con corrente di dissipazione e sorgente tipica da 2,5 A in contenitore DSO-14. Basato sulla tecnologia SOI Infineon, con un'eccellente robustezza e immunità al rumore contro le tensioni transitorie negative sul pin VS. Nessuna struttura a tiristore parassita è presente nel dispositivo, pertanto nessun blocco parassita in tutte le condizioni di temperatura e tensione.
Diodo bootstrap integrato ultrarapido a bassa resistenza, per ridurre il costo BOM
Pin ad alta e bassa tensione separati per la massima età di scorrimento e clearance
Logica separata e messa a terra dell'alimentazione
Pin ad alta e bassa tensione separati per la massima età di scorrimento e clearance
Logica separata e messa a terra dell'alimentazione
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Logic Type | CMOS, LSTTL |
Corrente di uscita | 2,5 A |
Tensione di alimentazione | 10 → 20V |
Tipo di package | DSO |
Tempo di discesa | 15ns |
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