Modulo Driver gate 2ED24427N01FXUMA1, CMOS, 2,5 A, 10 → 20V, DSO-8

Il driver gate low-side non invertente a doppio canale da 24 V Infineon EiceDRIVER per MOSFET o IGBT con correnti di sorgente e dissipazione tipiche da 10 A in un contenitore DSO-8 con pad di potenza esposto ed efficiente dal punto di vista termico. EiceDRIVER 24 V consente una maggiore potenza e frequenze di commutazione più veloci in applicazioni multiple con un ingombro ridotto sul circuito stampato e una maggiore affidabilità semplificando la progettazione di sistemi ad alta densità di potenza. EiceDRIVER 24 V è un driver gate MOSFET a bassa tensione, potenza e IGBT non invertente. Le tecnologie CMOS protette da blocco consentono una struttura monolitica robusta. L'ingresso logico è compatibile con l'uscita CMOS o LSTTL standard. Il driver di uscita è dotato di uno stadio buffer di corrente. I driver di uscita sono dotati di uno stadio buffer a corrente di impulsi elevata progettato per una conduttività trasversale minima del driver.

Capacità driver sorgente 0 A dissipatore e 10 A
Blocco sottotensione 11,5 V
Tensione di alimentazione massima 24 V
Funzione di abilitazione
Ingressi con attivazione Schmitt CMOS
Riduzione dei costi del sistema possibile mediante la parallelazione di più di un interruttore per canale