Infineon No Modulo Driver gate Driver gate, 270 mA, SOIC, 8 Pin 25 V
- Codice RS:
- 258-3924
- Codice costruttore:
- IR2103STRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
1677,50 €
(IVA esclusa)
2047,50 €
(IVA inclusa)
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,671 € | 1.677,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-3924
- Codice costruttore:
- IR2103STRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Modulo Driver gate | |
| Corrente di uscita | 270mA | |
| Numero pin | 8 | |
| Tempo di discesa | 50ns | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo di driver | Driver gate | |
| Tempo di salita | 100ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 10V | |
| Tensione massima di alimentazione | 25V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Serie | IR21xx | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Modulo Driver gate | ||
Corrente di uscita 270mA | ||
Numero pin 8 | ||
Tempo di discesa 50ns | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo di driver Driver gate | ||
Tempo di salita 100ns | ||
Tensione minima di alimentazione 10V | ||
Tensione massima di alimentazione 25V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Serie IR21xx | ||
Standard automobilistico No | ||
I driver half-bridge Infineon sono driver IGBT e MOSFET di potenza ad alta velocità ad alta tensione con canali di uscita ad alto e basso lato di riferimento dipendenti. Le tecnologie proprietarie HVIC e CMOS immune al blocco consentono una struttura monolitica robusta. L'ingresso logico è compatibile con l'uscita CMOS o LSTTL standard, fino a 3,3 V logica. I driver di uscita sono dotati di uno stadio buffer a corrente di impulsi elevata progettato per una conduttività trasversale minima del driver. Il canale flottante può essere utilizzato per azionare un MOSFET di potenza a canale N o un IGBT nella configurazione high side che funziona fino a 600 volt.
Canale flottante progettato per il funzionamento con bootstrap
Completamente operativo fino a +600 V
Tollerante alle tensioni transitorie negative
Immunità dV/dt
Gamma di alimentazione dell'azionamento gate da 10 a 20 V
Blocco sottotensione
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