Infineon No Modulo Driver gate Driver gate, 270 mA, SOIC, 8 Pin 25 V

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1677,50 €

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2047,50 €

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2500 +0,671 €1.677,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
258-3924
Codice costruttore:
IR2103STRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Modulo Driver gate

Corrente di uscita

270mA

Numero pin

8

Tempo di discesa

50ns

Tipo di package

SOIC

Tipo di driver

Driver gate

Tempo di salita

100ns

Tensione minima di alimentazione

10V

Tensione massima di alimentazione

25V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Serie

IR21xx

Standard automobilistico

No

I driver half-bridge Infineon sono driver IGBT e MOSFET di potenza ad alta velocità ad alta tensione con canali di uscita ad alto e basso lato di riferimento dipendenti. Le tecnologie proprietarie HVIC e CMOS immune al blocco consentono una struttura monolitica robusta. L'ingresso logico è compatibile con l'uscita CMOS o LSTTL standard, fino a 3,3 V logica. I driver di uscita sono dotati di uno stadio buffer a corrente di impulsi elevata progettato per una conduttività trasversale minima del driver. Il canale flottante può essere utilizzato per azionare un MOSFET di potenza a canale N o un IGBT nella configurazione high side che funziona fino a 600 volt.

Canale flottante progettato per il funzionamento con bootstrap

Completamente operativo fino a +600 V

Tollerante alle tensioni transitorie negative

Immunità dV/dt

Gamma di alimentazione dell'azionamento gate da 10 a 20 V

Blocco sottotensione

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