Modulo Driver gate IRS2008STRPBF, CMOS, 25V, SOIC, 8-Pin

Il driver half-bridge Infineon è un driver IGBT e MOSFET di potenza ad alta velocità e ad alta tensione con canali di uscita con riferimento lato alto e basso dipendenti. Le tecnologie proprietarie HVIC e CMOS immune al blocco consentono una struttura monolitica robusta. L'ingresso logico è compatibile con l'uscita CMOS o LSTTL standard, fino alla logica da 3,3 V. I driver di uscita sono dotati di uno stadio buffer a corrente di impulsi elevata progettato per una conduzione incrociata minima del driver. Il canale flottante può essere utilizzato per azionare un MOSFET di potenza a canale N o IGBT nella configurazione high side che funziona fino a 200 V. I ritardi di propagazione sono abbinati per semplificare l'uso dell'HVIC in applicazioni ad alta frequenza.

L'unità gate alimenta fino a 20 V per canale
Blocco sottotensione per VCC, VBS
Tollerante alle tensioni transitorie negative
Progettato per l'uso con alimentatori bootstrap
Logica di prevenzione della conduzione incrociata
Ritardo di propagazione corrispondente per entrambi i canali
Tempo di attesa impostato internamente
Uscita high-side in fase con ingresso