Modulo Driver gate IRS2181STRPBF, CMOS, SOIC, 8-Pin

I driver high-side e low-side Infineon sono driver IGBT e MOSFET di potenza ad alta velocità e ad alta tensione con canali di uscita con riferimento high-side e low-side indipendenti. Le tecnologie proprietarie HVIC e CMOS immune al blocco consentono una struttura monolitica robusta. L'ingresso logico è compatibile con l'uscita CMOS o LSTTL standard, fino alla logica da 3,3 V. I driver di uscita sono dotati di uno stadio buffer a corrente di impulsi elevata progettato per una conduttività trasversale minima del driver. Il canale flottante può essere utilizzato per azionare un MOSFET di potenza a canale N o un IGBT nella configurazione high-side che funziona fino a 600 V.

Canale flottante progettato per il funzionamento con bootstrap
Completamente operativo fino a +600 V
Tollerante alle tensioni transitorie negative, immune a dV/dt
Gamma di alimentazione dell'azionamento gate da 10 V a 20 V
Blocco sottotensione per entrambi i canali
Ritardo di propagazione corrispondente per entrambi i canali
Messa a terra logica e di potenza +/- 5 V offset
Driver gate di di/dt inferiore per una migliore immunità al rumore