Infineon No Modulo Driver gate Lato alto, 1.8 A, SOIC, 8 Pin 600 V
- Codice RS:
- 258-4009
- Codice costruttore:
- IRS2181STRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
1690,00 €
(IVA esclusa)
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,676 € | 1.690,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-4009
- Codice costruttore:
- IRS2181STRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Modulo Driver gate | |
| Corrente di uscita | 1.8A | |
| Numero pin | 8 | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tempo di discesa | 20ns | |
| Tipo di driver | Lato alto | |
| Tempo di salita | 60ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 10V | |
| Tensione massima di alimentazione | 600V | |
| Minima temperatura operativa | -50°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Serie | IRS | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Modulo Driver gate | ||
Corrente di uscita 1.8A | ||
Numero pin 8 | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tempo di discesa 20ns | ||
Tipo di driver Lato alto | ||
Tempo di salita 60ns | ||
Tensione minima di alimentazione 10V | ||
Tensione massima di alimentazione 600V | ||
Minima temperatura operativa -50°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Serie IRS | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Standard automobilistico No | ||
I driver high-side e low-side Infineon sono driver IGBT e MOSFET di potenza ad alta velocità e ad alta tensione con canali di uscita con riferimento high-side e low-side indipendenti. Le tecnologie proprietarie HVIC e CMOS immune al blocco consentono una struttura monolitica robusta. L'ingresso logico è compatibile con l'uscita CMOS o LSTTL standard, fino alla logica da 3,3 V. I driver di uscita sono dotati di uno stadio buffer a corrente di impulsi elevata progettato per una conduttività trasversale minima del driver. Il canale flottante può essere utilizzato per azionare un MOSFET di potenza a canale N o un IGBT nella configurazione high-side che funziona fino a 600 V.
Canale flottante progettato per il funzionamento con bootstrap
Completamente operativo fino a +600 V
Tollerante alle tensioni transitorie negative, immune a dV/dt
Gamma di alimentazione dell'azionamento gate da 10 V a 20 V
Blocco sottotensione per entrambi i canali
Ritardo di propagazione corrispondente per entrambi i canali
Messa a terra logica e di potenza +/- 5 V offset
Driver gate di di/dt inferiore per una migliore immunità al rumore
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