Modulo Driver gate IRS2113STRPBF, CMOS, LSTTL, SOIC 16 W

I driver IGBT e MOSFET di potenza ad alta velocità e alta tensione Infineon con canali di uscita indipendenti con riferimento high-side e low-side. Le tecnologie proprietarie HVIC e CMOS immune al blocco consentono una struttura monolitica robusta. Gli ingressi logici sono compatibili con l'uscita CMOS o LSTTL standard, fino alla logica da 3,3 V. I driver di uscita sono dotati di uno stadio buffer a corrente di impulsi elevata progettato per una conduttività trasversale minima del driver. I ritardi di propagazione sono abbinati per semplificare l'uso in applicazioni ad alta frequenza. Il canale flottante può essere utilizzato per azionare un MOSFET di potenza a canale N o un IGBT nella configurazione high-side che funziona fino a 500 V o 600 V.

Gamma di alimentazione dell'azionamento gate da 10 V a 20 V
Blocco sottotensione per entrambi i canali
Compatibile con logica 3,3 V
Gamma di alimentazione logica separata da 3,3 V a 20 V
Offset di messa a terra logica e di alimentazione ±5 V
Ingressi con attivazione Schmitt CMOS con pull-down
Logica di spegnimento ciclo per ciclo attivata dal bordo
Ritardo di propagazione corrispondente per entrambi i canali
Uscite in fase con gli ingressi