Infineon No Modulo Driver gate Lato alto, 2 A, SOIC, 16 Pin 20 V

I driver IGBT e MOSFET di potenza ad alta velocità e alta tensione Infineon con canali di uscita indipendenti con riferimento high-side e low-side. Le tecnologie proprietarie HVIC e CMOS immune al blocco consentono una struttura monolitica robusta. Gli ingressi logici sono compatibili con l'uscita CMOS o LSTTL standard, fino alla logica da 3,3 V. I driver di uscita sono dotati di uno stadio buffer a corrente di impulsi elevata progettato per una conduttività trasversale minima del driver. I ritardi di propagazione sono abbinati per semplificare l'uso in applicazioni ad alta frequenza. Il canale flottante può essere utilizzato per azionare un MOSFET di potenza a canale N o un IGBT nella configurazione high-side che funziona fino a 500 V o 600 V.

Gamma di alimentazione dell'azionamento gate da 10 V a 20 V