Modulo Driver gate IRS21814STRPBF, CMOS, LSTTL, SOIC 14N

I driver IGBT e MOSFET di potenza ad alta velocità e alta tensione Infineon con canali di uscita indipendenti con riferimento high-side e low-side. Le tecnologie proprietarie HVIC e CMOS immune al blocco consentono una struttura monolitica robusta. L'ingresso logico è compatibile con l'uscita CMOS o LSTTL standard, fino alla logica da 3,3 V. I driver di uscita sono dotati di uno stadio buffer a corrente di impulsi elevata progettato per una conduttività trasversale minima del driver. Il canale flottante può essere utilizzato per azionare un MOSFET di potenza a canale N o un IGBT nella configurazione high-side che funziona fino a 600 V.

Gamma di alimentazione dell'azionamento gate da 10 V a 20 V
Blocco sottotensione per entrambi i canali
Compatibile con logica di ingresso da 3,3 V e 5 V
Ritardo di propagazione corrispondente per entrambi i canali
Messa a terra logica e di potenza +/- 5 V offset
Driver gate di di/dt inferiore per una migliore immunità al rumore
Sorgente di uscita/corrente di dissipazione 1,4 A/1,8 A
Conforme a RoHS