Infineon Modulo Driver gate IRS21814STRPBF, 1.8 A, SOIC 20 V

I driver IGBT e MOSFET di potenza ad alta velocità e alta tensione Infineon con canali di uscita indipendenti con riferimento high-side e low-side. Le tecnologie proprietarie HVIC e CMOS immune al blocco consentono una struttura monolitica robusta. L'ingresso logico è compatibile con l'uscita CMOS o LSTTL standard, fino alla logica da 3,3 V. I driver di uscita sono dotati di uno stadio di buffer di corrente di impulsi elevato progettato per una conduttività trasversale minima del driver. Il canale flottante può essere utilizzato per pilotare un MOSFET di potenza a canale N o un IGBT nella configurazione high-side, che funziona fino a 600 V.

Gamma di alimentazione dell'azionamento gate da 10 V a 20 V