IGBT IXYS IXGH40N120B2D1, VCE 1200 V, IC 75 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante

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Codice RS:
192-988
Codice Distrelec:
302-53-416
Codice costruttore:
IXGH40N120B2D1
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Corrente massima continua collettore Ic

75A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

380W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

140ns

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

3.5V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

19.81mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

Mid-Frequency

Standard automobilistico

No

IGBT Discreti, IXYS


IGBT discreti e modulari, IXYS


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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