Modulo IGBT IXYS MII75-12A3, VCE 1200 V, IC 90 A, canale Tipo N, Y4-M5, 7 Pin Superficie

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Codice RS:
193-880
Codice costruttore:
MII75-12A3
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

90A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

370W

Tipo di package

Y4-M5

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

7

Velocità di commutazione

30kHz

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.7V

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

94mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

34mm

Serie

NPT

Altezza

30mm

Standard automobilistico

No

Moduli IGBT, IXYS


IGBT discreti e modulari, IXYS


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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