Codice costruttore

Modulo IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 90 A, canale Tipo N, Y4-M5, 7 Pin Superficie

Codice RS:: 168-4475
Codice costruttore:: MII75-12A3
Costruttore:: IXYS

Modulo IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 90 A, canale Tipo N, Y4-M5, 7 Pin Superficie

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30 - 54	62,108 €	372,65 €
60 +	60,613 €	363,68 €

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Codice RS:: 168-4475
Codice costruttore:: MII75-12A3
Costruttore:: IXYS

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	IXYS
	Tipo prodotto	Modulo IGBT
	Corrente massima continua collettore Ic	90A
	Tensione massima emettitore del collettore Vceo	1200V
	Dissipazione di potenza massima Pd	370W
	Tipo di package	Y4-M5
	Tipo montaggio	Superficie
	Tipo di canale	Tipo N
	Numero pin	7
	Velocità di commutazione	30kHz
	Minima temperatura operativa	-40°C
	Tensione emettitore gate massima VGEO	20 V
	Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT	2.7V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Serie	NPT
	Larghezza	34mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	94mm
	Altezza	30mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio IXYS
	Tipo prodotto Modulo IGBT
	Corrente massima continua collettore Ic 90A
	Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1200V
	Dissipazione di potenza massima Pd 370W
	Tipo di package Y4-M5
	Tipo montaggio Superficie
	Tipo di canale Tipo N
	Numero pin 7
	Velocità di commutazione 30kHz
	Minima temperatura operativa -40°C
	Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V
	Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.7V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Serie NPT
	Larghezza 34mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 94mm
	Altezza 30mm
	Standard automobilistico No

Moduli IGBT, IXYS

IGBT discreti e modulari, IXYS

Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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