IGBT IXYS IXGH6N170, VCE 1700 V, IC 12 A, canale Tipo N, TO-247AD, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 194-760
- Codice Distrelec:
- 302-53-417
- Codice costruttore:
- IXGH6N170
- Costruttore:
- IXYS
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità*
12,54 €
(IVA esclusa)
15,30 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 22 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 4 | 12,54 € |
| 5 - 24 | 11,30 € |
| 25 - 49 | 10,45 € |
| 50 - 99 | 9,77 € |
| 100 + | 9,09 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 194-760
- Codice Distrelec:
- 302-53-417
- Codice costruttore:
- IXGH6N170
- Costruttore:
- IXYS
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 12A | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1700V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 75W | |
| Tipo di package | TO-247AD | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 4V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Serie | High Voltage | |
| Lunghezza | 19.81mm | |
| Standard/Approvazioni | International Standard Packages | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Corrente massima continua collettore Ic 12A | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1700V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 75W | ||
Tipo di package TO-247AD | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 4V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Serie High Voltage | ||
Lunghezza 19.81mm | ||
Standard/Approvazioni International Standard Packages | ||
Standard automobilistico No | ||
IGBT Discreti, IXYS
IGBT discreti e modulari, IXYS
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.
Link consigliati
- IGBT IXYS IC 12 A TO-247AD, 3 Pin Foro passante
- IGBT IXYS IC 75 A TO-247AD, 3 Pin Foro passante
- IGBT IXYS IC 32 A TO-247AD, 3 Pin Foro passante
- IGBT IXYS IC 100 A TO-247AD, 3 Pin Foro passante
- IGBT IXYS IXGH16N170 IC 32 A TO-247AD, 3 Pin Foro passante
- IGBT IXYS IXGH32N170 IC 75 A TO-247AD, 3 Pin Foro passante
- IGBT IXYS IXYH30N170C IC 100 A TO-247AD, 3 Pin Foro passante
- IGBT IXYS IC 50 A TO-247AD Superficie
