IGBT IXYS, VCE 1700 V, IC 32 A, canale N, TO-247AD
- Codice RS:
- 168-4504
- Codice costruttore:
- IXGH16N170
- Costruttore:
- IXYS
Prezzo per 1 tubo da 30 unità*
240,15 €
(IVA esclusa)
292,98 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 360 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 + | 8,005 € | 240,15 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 168-4504
- Codice costruttore:
- IXGH16N170
- Costruttore:
- IXYS
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Corrente massima continuativa collettore | 32 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1700 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Tipo di package | TO-247AD | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Dimensioni | 16.26 x 5.3 x 21.46mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Corrente massima continuativa collettore 32 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1700 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Tipo di package TO-247AD | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Dimensioni 16.26 x 5.3 x 21.46mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
IGBT Discreti, IXYS
IGBT discreti e modulari, IXYS
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.
