IGBT IXYS IXXH80N65B4H1, VCE 650 V, IC 430 A, canale Tipo N, TO-247AD, 3 Pin Foro passante

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Codice RS:
125-8049
Codice Distrelec:
302-53-437
Codice costruttore:
IXXH80N65B4H1
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

430A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

625W

Tipo di package

TO-247AD

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

30kHz

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.1V

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Serie

Trench

Standard automobilistico

No

Classificazione energetica

5.2mJ

Paese di origine:
PH

IGBT Discreti, IXYS


IGBT discreti e modulari, IXYS


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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