Modulo IGBT XPT IXYS, VCE 1200 V, IC 450 A, canale Tipo N, SimBus F, 11 Pin Montaggio su circuito stampato

Visualizza IGBT
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Codice RS:
146-1703
Codice costruttore:
MIXA450PF1200TSF
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Corrente massima continua collettore Ic

450A

Tipo prodotto

Modulo IGBT XPT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

2100W

Numero transistor

2

Tipo di package

SimBus F

Tipo montaggio

Montaggio su circuito stampato

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

11

Velocità di commutazione

85ns

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

17mm

Lunghezza

152mm

Standard/Approvazioni

IEC 60747, RoHS

Serie

MIXA450PF1200TSF

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE

Moduli IGBT, IXYS


IGBT discreti e modulari, IXYS


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.