Modulo IGBT Infineon FF300R12KT4HOSA1, VCE 1.2 kV, IC 450 A

Questo modulo IGBT è un dispositivo a semiconduttore di potenza progettato per commutare e controllare circuiti c.c. ad alta tensione nei sistemi di alimentazione industriali. Combina due transistor in un unico pacchetto per gestire carichi di corrente elevati e funziona in un ampio intervallo di temperatura adatto per ambienti termici impegnativi.

• Capacità di blocco a 1200 V per applicazioni di commutazione ad alta tensione
• Corrente di collettore continua di 450 A per supportare elevate esigenze di corrente
• Dissipazione di potenza massima di 1600 W per un funzionamento ad alta potenza prolungato
• Basso Vce(sat) di 2,15 V per perdite di conduzione ridotte
• Valore nominale massimo gate-emitter di 20 V per definire i limiti di azionamento sicuro
• Funziona fino a 175 °C per installazioni a temperatura elevata

• Adatto per sistemi di azionamento motori ad alta tensione
• Ideale per inverter industriali che richiedono corrente elevata
• Può essere utilizzato per le fasi di convertitore di energia rinnovabile
• Utilizzato con alimentatori che richiedono transistor doppi compatti
• Applicabile in ambienti di trazione o di potenza-elettronica di utilità

Contiene due transistor accoppiati in un singolo modulo che consentono disposizioni di commutazione sincrone o complementari.

È classificato per funzionare fino a -40 °C e fino a 175 °C per il funzionamento in ampi intervalli di temperatura.

Il limite gate-emitter di 20 V definisce la tensione massima consentita per l'azionamento del gate e determina la protezione richiesta per l'azionamento del gate e il design con spostamento di livello.

I progettisti devono tenere conto di un limite di blocco collettore-emettitore di 1200 V e di un soffitto di dissipazione del contenitore di 1600 W quando pianificano la gestione termica.