Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A
- Codice RS:
- 244-5835
- Codice costruttore:
- FP50R12KE3BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
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|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 244-5835
- Codice costruttore:
- FP50R12KE3BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 75 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 280 W | |
| Numero di transistor | 7 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 75 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Dissipazione di potenza massima 280 W | ||
Numero di transistor 7 | ||
Il modulo IGBT infineon ha una tensione nominale massima dell'emettitore del collettore di 1200 V e una dissipazione di potenza totale di 280 W, una tensione di soglia massima del gate di 6,5 V.
Isolamento interno isolamento di base (classe 1, IEC 61140)
Tensione di picco emettitore-gate +/- 20 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore 2,30 V
Corrente di dispersione emettitore-gate 400 nA
Tensione di picco emettitore-gate +/- 20 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore 2,30 V
Corrente di dispersione emettitore-gate 400 nA