Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 450 A
- Codice RS:
- 244-5822
- Codice costruttore:
- FF300R12KT4HOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 vassoio da 10 unità*
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Unità | Per unità | Per Vassoio* |
|---|---|---|
| 10 + | 117,499 € | 1.174,99 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 244-5822
- Codice costruttore:
- FF300R12KT4HOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 450 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 1,6 kW | |
| Numero di transistor | 2 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 450 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Dissipazione di potenza massima 1,6 kW | ||
Numero di transistor 2 | ||
La tensione nominale massima dell'emettitore del collettore del modulo IGBT Infineon è di 1200 V e la dissipazione di potenza totale è di 1600 W, la tensione di soglia massima del gate è di 6,4 V.
Isolamento interno isolamento di base (classe 1, IEC 61140)
Tensione di picco emettitore-gate +/- 20 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore 2,15 V
Corrente di dispersione emettitore-gate 400 nA
Tensione di picco emettitore-gate +/- 20 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore 2,15 V
Corrente di dispersione emettitore-gate 400 nA