Modulo IGBT Infineon FS150R12KT4B11BOSA1, VCE 1200 V, IC 150 A

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-5408
Codice costruttore:
FS150R12KT4B11BOSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

150A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Numero transistor

6

Dissipazione di potenza massima Pd

750W

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.1V

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

FS

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il modulo IGBT Infineon la massima corrente di collettore di Peak ripetitiva nominale è di 300 A e tensione di saturazione collettore-emettitore 2,10 V, la tensione di soglia gate è di 6,4 V.

Corrente di taglio del collettore-emettitore 1,0 ma

Temperatura in condizioni di commutazione 150 °C.

Corrente di dispersione emettitore gate 100 na

Capacità di trasferimento inverso 0,35 NF

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