Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A

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Codice RS:
244-5834
Codice costruttore:
FP50R12KE3BOSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

75A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Numero transistor

7

Dissipazione di potenza massima Pd

280W

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.15V

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Serie

FP50R12KE3

Standard automobilistico

No

Il modulo IGBT infineon ha una tensione nominale massima dell'emettitore del collettore di 1200 V e una dissipazione di potenza totale di 280 W, una tensione di soglia massima del gate di 6,5 V.

Isolamento interno isolamento di base (classe 1, IEC 61140)

Tensione di picco emettitore-gate +/- 20 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore 2,30 V

Corrente di dispersione emettitore-gate 400 nA

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