Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A

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Codice RS:
244-5834
Codice costruttore:
FP50R12KE3BOSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

75 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

280 W

Numero di transistor

7

Il modulo IGBT infineon ha una tensione nominale massima dell'emettitore del collettore di 1200 V e una dissipazione di potenza totale di 280 W, una tensione di soglia massima del gate di 6,5 V.

Isolamento interno isolamento di base (classe 1, IEC 61140)
Tensione di picco emettitore-gate +/- 20 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore 2,30 V
Corrente di dispersione emettitore-gate 400 nA

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