Modulo IGBT Infineon FP50R12KT3BOSA1, VCE 1200 V, IC 75 A, Modulo Pannello

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Codice RS:
273-7402
Codice costruttore:
FP50R12KT3BOSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

75A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

280W

Tipo di package

Modulo

Tipo montaggio

Pannello

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.15V

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Lunghezza

122mm

Standard/Approvazioni

EN61140, IEC61140

Standard automobilistico

No

Il modulo IGBT di Infineon possiede una tensione di collettore-emettitore di 1200 V e una corrente di collettore CC continua di 50 A. È dotato di una piastra di base in rame per ottimizzare la diffusione del calore e di un design del modulo a bassa induttanza di dispersione. Questo modulo IGBT è disponibile con TRENCHSTOP IGBT3 rapido e NTC.

Resistenza termica

Elevata affidabilità

Alta densità di potenza

Basse perdite di commutazione

Modulo compatto

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