Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A, Modulo
- Codice RS:
- 273-7402
- Codice costruttore:
- FP50R12KT3BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Vassoio* |
|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-7402
- Codice costruttore:
- FP50R12KT3BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 75 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | +/-20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 280 W | |
| Tipo di package | Modulo | |
| Tipo di montaggio | Montaggio a pannello | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 75 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter +/-20V | ||
Dissipazione di potenza massima 280 W | ||
Tipo di package Modulo | ||
Tipo di montaggio Montaggio a pannello | ||
Il modulo IGBT di Infineon possiede una tensione di collettore-emettitore di 1200 V e una corrente di collettore CC continua di 50 A. È dotato di una piastra di base in rame per ottimizzare la diffusione del calore e di un design del modulo a bassa induttanza di dispersione. Questo modulo IGBT è disponibile con TRENCHSTOP IGBT3 rapido e NTC.
Resistenza termica
Elevata affidabilità
Alta densità di potenza
Basse perdite di commutazione
Modulo compatto
Elevata affidabilità
Alta densità di potenza
Basse perdite di commutazione
Modulo compatto