Modulo IGBT Infineon F3L150R12W2H3B11BPSA1, VCE 1200 V, IC 75 A, Modulo, 8 Pin Pannello

Visualizza IGBT
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 vassoio da 15 unità*

739,425 €

(IVA esclusa)

902,10 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 15 unità in spedizione dal 06 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Vassoio*
15 - 9049,295 €739,43 €
105 +45,187 €677,81 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
273-7366
Codice costruttore:
F3L150R12W2H3B11BPSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Corrente massima continua collettore Ic

75A

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

500W

Tipo di package

Modulo

Tipo montaggio

Pannello

Numero pin

8

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.75V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

UL (E83335), RoHS

Altezza

16.4mm

Lunghezza

62.4mm

Standard automobilistico

No

Il modulo IGBT di Infineon possiede 1200 V VCES, una corrente di collettore CC continua di 75 A, un modulo IGBT a 3 livelli di fase con morsetto attivo a punto neutro 2, NTC, IGBT H3 ad alta velocità e tecnologia di contatto Press FIT. Questo modulo IGBT è adatto per applicazioni a 3 livelli.

Conforme a RoHS

IGBT H3 ad alta velocità

Basse perdite di commutazione

Adatto per applicazioni solari

Link consigliati