Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A, Modulo
- Codice RS:
- 273-7367
- Codice costruttore:
- F3L150R12W2H3B11BPSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 4 | 117,69 € |
| 5 - 9 | 115,35 € |
| 10 - 99 | 107,00 € |
| 100 - 249 | 98,08 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-7367
- Codice costruttore:
- F3L150R12W2H3B11BPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 75 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | +/-20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 500 W | |
| Tipo di package | Modulo | |
| Tipo di montaggio | Montaggio a pannello | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 75 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter +/-20V | ||
Dissipazione di potenza massima 500 W | ||
Tipo di package Modulo | ||
Tipo di montaggio Montaggio a pannello | ||
Il modulo IGBT di Infineon possiede 1200 V VCES, una corrente di collettore CC continua di 75 A, un modulo IGBT a 3 livelli di fase con morsetto attivo a punto neutro 2, NTC, IGBT H3 ad alta velocità e tecnologia di contatto Press FIT. Questo modulo IGBT è adatto per applicazioni a 3 livelli.
Conforme a RoHS
IGBT H3 ad alta velocità
Basse perdite di commutazione
Adatto per applicazioni solari
IGBT H3 ad alta velocità
Basse perdite di commutazione
Adatto per applicazioni solari