Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A, Modulo, 8 Pin Pannello

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Codice RS:
273-7367
Codice costruttore:
F3L150R12W2H3B11BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

75A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

500W

Tipo di package

Modulo

Tipo montaggio

Pannello

Numero pin

8

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.75V

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

UL (E83335), RoHS

Altezza

16.4mm

Lunghezza

62.4mm

Standard automobilistico

No

Il modulo IGBT di Infineon possiede 1200 V VCES, una corrente di collettore CC continua di 75 A, un modulo IGBT a 3 livelli di fase con morsetto attivo a punto neutro 2, NTC, IGBT H3 ad alta velocità e tecnologia di contatto Press FIT. Questo modulo IGBT è adatto per applicazioni a 3 livelli.

Conforme a RoHS

IGBT H3 ad alta velocità

Basse perdite di commutazione

Adatto per applicazioni solari

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