Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 150 A
- Codice RS:
- 244-5407
- Codice costruttore:
- FS150R12KT4B11BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 vassoio da 10 unità*
1323,47 €
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Unità | Per unità | Per Vassoio* |
|---|---|---|
| 10 + | 132,347 € | 1.323,47 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 244-5407
- Codice costruttore:
- FS150R12KT4B11BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 150 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | +/-20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 750 W | |
| Numero di transistor | 6 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 150 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter +/-20V | ||
Dissipazione di potenza massima 750 W | ||
Numero di transistor 6 | ||
Il modulo IGBT Infineon la massima corrente di collettore di Peak ripetitiva nominale è di 300 A e tensione di saturazione collettore-emettitore 2,10 V, la tensione di soglia gate è di 6,4 V.
Corrente di taglio del collettore-emettitore 1,0 ma
Temperatura in condizioni di commutazione 150 °C.
Corrente di dispersione emettitore gate 100 na
Capacità di trasferimento inverso 0,35 NF
Temperatura in condizioni di commutazione 150 °C.
Corrente di dispersione emettitore gate 100 na
Capacità di trasferimento inverso 0,35 NF