Modulo IGBT XPT IXYS MIXA450PF1200TSF, VCE 1200 V, IC 450 A, canale Tipo N, SimBus F, 11 Pin Montaggio su circuito
- Codice RS:
- 124-0712
- Codice costruttore:
- MIXA450PF1200TSF
- Costruttore:
- IXYS
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- 124-0712
- Codice costruttore:
- MIXA450PF1200TSF
- Costruttore:
- IXYS
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Tipo prodotto | Modulo IGBT XPT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 450A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1200V | |
| Numero transistor | 2 | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2100W | |
| Tipo di package | SimBus F | |
| Tipo montaggio | Montaggio su circuito stampato | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 11 | |
| Velocità di commutazione | 85ns | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.8V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | IEC 60747, RoHS | |
| Lunghezza | 152mm | |
| Altezza | 17mm | |
| Serie | MIXA450PF1200TSF | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Tipo prodotto Modulo IGBT XPT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 450A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1200V | ||
Numero transistor 2 | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2100W | ||
Tipo di package SimBus F | ||
Tipo montaggio Montaggio su circuito stampato | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 11 | ||
Velocità di commutazione 85ns | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.8V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni IEC 60747, RoHS | ||
Lunghezza 152mm | ||
Altezza 17mm | ||
Serie MIXA450PF1200TSF | ||
Standard automobilistico No | ||
Moduli IGBT, IXYS
IGBT discreti e modulari, IXYS
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.
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